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Freiberg-MDPicts MDP微波探測光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) Freiberg-MDPicts
  • 產(chǎn)地 德國
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2025/5/28 21:34:30
  • 訪問次數(shù) 2544

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束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司自成立以來,憑借與德國布魯克(BRUKER)、國際衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)、德國Freiberg等國際實(shí)驗(yàn)室分析儀器品牌的戰(zhàn)略合作,迅速成為業(yè)界儀器供應(yīng)商。

我們擁有一支積極樂觀,正直誠信的年輕團(tuán)隊(duì),我們熱忱的信仰科學(xué),相信科學(xué)技術(shù)能為我們的客戶帶來質(zhì)量較高的生活,為社會(huì)的進(jìn)步起到積極的促進(jìn)作用。

束蘊(yùn)儀器為各類客戶提供完善的實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)檢測儀器及過程控制設(shè)備,專業(yè)的應(yīng)用支持及完善的售后服務(wù),在中國大陸的諸多領(lǐng)域擁有大量用戶,如高校、科研院所、航空航天、國家機(jī)關(guān)、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)及工業(yè)企業(yè),產(chǎn)品覆蓋了醫(yī)藥、生物、材料、考古、電子、食品等各個(gè)行業(yè)。公司的宗旨:為客戶量身打造適合的綜合解決方案,技術(shù)支持和現(xiàn)場服務(wù),系統(tǒng)高效的客戶培訓(xùn),快速及時(shí)的售后服務(wù)。

束蘊(yùn)儀器,讓世界更清晰!

主營儀器設(shè)備:

--高分辨X射線顯微CT、多量程X射線納米CT、X射線衍射儀、X射線熒光光譜儀、電子順磁共振波譜儀(ESR/EPR)、臺(tái)式核磁共振波譜儀 TD-NMR、光學(xué)輪廓儀等 -- 德國布魯克Bruker 授權(quán)代理商

--PDF衍射數(shù)據(jù)庫、JADE軟件--國際衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)授權(quán)代理商

--晶圓片壽命檢測儀、在線晶圓片/晶錠點(diǎn)掃或面掃檢測、晶圓片在線面掃檢測儀、臺(tái)式PID潛在誘導(dǎo)退化測試儀、釋光測定儀等--德國Freiberg Instruments授權(quán)代理商



單位名稱:束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

詳細(xì)地址:上海市松江區(qū)千帆路288弄G60科創(chuàng)云廊3號(hào)樓602室









MicroCT,顯微CT,微焦點(diǎn)CT,骨骼成像,顯微CT材料學(xué)檢測,微納顯微CT,X射線斷層掃描,TOC,元素檢測

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 面議
應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件,電氣

?產(chǎn)品介紹

德國Freiberg Instruments的MDPicts(MDP微波探測光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命),非接觸且無損傷,用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。MDpictsMDP微波探測光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)將在半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究與開發(fā)領(lǐng)域取得廣泛的應(yīng)用。

?設(shè)備特點(diǎn)

 --靈敏度:對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有非常高的靈敏度
 --溫度范圍:液氮(77k)至500k??蛇x:液氦(4k)或更高溫度
 --衰減常數(shù)范圍:20納秒到幾毫秒
 --沾污檢測:電學(xué)陷阱基本性能確定:激活能和陷阱的俘獲截面,受溫度和注入  水平影響的少子壽命參數(shù)等
 --重復(fù)性:> 99.5%,測量時(shí)間:< 60分鐘。液氮消耗:2升/次
 --靈活性:從365 nm 到1480nm,根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
 --可訪問性:基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

圖2. 不同缺陷的評(píng)價(jià)

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能

圖3.Arrhenius曲線圖

 

利用這種新型MDPpicts設(shè)備,可在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。

Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。  

圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜



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