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碳化硅電熱元件的化學性質碳化硅電熱元件的化學性質
1. 元件的抗氧化性
元件在空氣中使用到800℃時開始氧化，溫度達到1000--1300℃時，發熱部表面生成一層二氧化硅保護膜，1300℃時結晶出方石英，在1500℃時，保護膜達到一定的厚度，從而使元件的氧化速度變得極為緩慢，趨于穩定。如果繼續升溫至1627℃以上時，則保護膜受到破壞，氧化速度顯著增加，造成元件過早損壞。
元件在使用過程中雖然氧化極為緩慢，但長時間運行仍然會導致電阻值增大，這種現象叫做老化。為了減緩老化速度，我們在制造過程中以*的技術，在發熱部的表面涂上了保護層，明顯的增強了元件的抗氧化性能，延長了使用壽命。
2. 堿和堿性金屬氧化物對元件的影響
在1300℃左右，堿和堿性金屬氧化物與碳化硅發生反應，生成硅酸鹽，稱為堿化學侵蝕，會明顯影響元件發熱的紅熱程度。
3.熔化金屬對元件的影響
部分金屬如鋯、鎳、鉻等在高溫熔化狀態下可以對元件造成侵蝕，影響元件的壽命。
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