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耗散型石英晶體微天平Q-sense E1

閱讀:128      發(fā)布時(shí)間:2015-09-09
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在線的、實(shí)時(shí)地跟蹤分子間的相互作用

    越來越多發(fā)表的科學(xué)文獻(xiàn)證明了QCM-D系統(tǒng)的技術(shù)可靠性。該技術(shù)的核心是石英晶體在負(fù)載電壓下以一個(gè)特定頻率振蕩。當(dāng)晶體上的質(zhì)量改變時(shí),振蕩的共振頻率也會(huì)隨之變化。通過這種方法,可以在納克級靈敏度上測定質(zhì)量變化。

    這種*的Q-Sense設(shè)計(jì)可以同時(shí)測量耗散因子,從而提供薄膜的結(jié)構(gòu)和粘彈性信息。它可以提供諸如吸附膜的分子結(jié)構(gòu)、厚度、水含量的信息。此外還可以檢測反應(yīng)前、進(jìn)行中和結(jié)束后的表面吸附層的變化。耗散因子是指當(dāng)電路斷開后震蕩的晶體頻率降低到0的時(shí)間快慢。

    任何可在傳感器上形成薄膜的物質(zhì)都可以進(jìn)行免標(biāo)記測試,這些物質(zhì)包括聚合物、金屬和化學(xué)改性表面。實(shí)時(shí)測試系統(tǒng)每秒可提供高達(dá)200個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。

 

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