半導體電阻率測試儀是根據四探針原理，適合半導體器材廠，材料廠用于測量半導體材料（片狀、棒狀）的體電阻率，方塊電阻（簿層電阻），也可以用作測量金屬薄層電阻，經過對用戶、半導體廠測試的調查，根據美國ASTM標準的規定，在電路和探頭方面作了修改和，適合于半導體器材廠檢測方面對中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測量需要，成為普及型的電阻率測試儀，具有測量精度高，穩定性好，輸入阻抗高，使用方便、價格低廉等特點。

儀器指標：

測量范圍：電阻率10^-3—10³Ω-cm，分辯率為10^-4Ω-cm ，可擴展到10⁵Ω-cm

          方塊電阻10^-2—10⁴Ω/□，分辯率為10^-3Ω/□，可擴展到10⁶Ω/□

          薄層金屬電阻10^-4—10⁵Ω，分辯率為10^-4Ω

可測半導體材料尺寸：直徑Φ15—Φ125mm；

長度：150mm(可擴展500mm)

測量方式：軸向、斷面

數字電壓表：

量程：20mV(分辯率：10μV)、200mV、2V

測量誤差：±0.3%讀數±1字

輸入阻抗：大于108Ω

顯示3 1/2 位紅色發光二管（LED）數字顯示

0---1999具有性、過載、小數點、單位自動顯示

恒流源：由交流供電

直流電流：0—100mA連續可調

量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

分辯率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

電流誤差：±0.3%讀數±2字

電性能模擬考核誤差：<±0.3%ASTM指標

測試探頭：（1）探針機械游移率：± 0.3% ASTM 指標

電源：交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W

電氣箱外形尺寸：119×440×320mm