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　　對多種氣體的快速監測、報警、極低濃度的測量、寬廣的測量區域、高靈敏的響應是半導體工業的要求之一。深紫外光刻工藝特別關注氨、胺、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸等的濃度測量。當這些氣體與化學放大的光刻膠發生反應時，半導體器件的質量將受到深刻影響。傳統和古老的方法大多采用間接測量和分析方法。這些方法包括沖擊過濾法、離子色譜法和化學熒光法，這些方法分析速度太慢，操作太復雜，價格昂貴，測量結果不準確。

　　

　　AMC空氣分析證明，深紫外光刻工藝深受多種微污染物的影響，對許多微污染物特別敏感，如氨氣或酸性氣體，會對半導體生產帶來危害。雖然隨著深紫外耐腐蝕材料技術的發展，長期連續的實時監測已經減少，事實上，空氣分子污染物（AMC）的實時測量對產品的質量非常重要。
 

　　

　　AMC空氣分析監測還集成了一個多點監測系統，可以將氣體依次抽到分析儀或傳感器上，并讀出測量結果。嵌入式報警、報告和分析軟件由在半導體行業有多年經驗的工程師集體開發。模擬模塊可以輸出4-6臺分析儀或傳感器的數據。每臺分析儀都配備了一臺內置計算機，可以存儲和輸出數據。它還支持遠程網絡控制，遠程操作可以實現多層次的管理權限控制和操作。

　　

　　AMC空氣分析儀基于CEAS（腔體增強吸收光譜）技術，儀器使用簡單，操作方便。所有部件（包括內置真空泵、鍵盤、鼠標、顯示器等）在幾分鐘內就可以開始記錄數據。其他大氣中的水蒸氣、CO2、O2、甲烷等不會對HCL、HF、NH3等造成交叉干擾。內置計算機可將大量數據存儲到內置硬盤，通過數字接口或模擬接口傳輸數據，通過互聯網遠程存儲或記錄數據，高質量的數據庫適用于苛刻的半導體微量氣體應用。