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Optodiode的光電探測(cè)器陣列

AXUV16ELG光電二極管陣列，Opto Diod光電探測(cè)器陣列

Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點(diǎn)

Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號(hào)，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測(cè)的理想選擇。有保護(hù)性蓋板，以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。Opto Diode光電探測(cè)器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng)，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。

光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個(gè)元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個(gè)元素的陣列。光電二極管陣列儲(chǔ)存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮?dú)夂驼婵障聹囟仁?/span>-20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時(shí)間的推移，對(duì)低能量輻射和150納米以下波長的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子，以保護(hù)Opto Diode光電探測(cè)器陣列和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前，請(qǐng)查看應(yīng)用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。

AXUV16ELG光電二極管陣列的特點(diǎn)

- 40針雙列式封裝

- 是電子檢測(cè)的理想選擇

- 保護(hù)性蓋板

在25°C時(shí)的電光特性

AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測(cè)試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí)，每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。

AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列的特點(diǎn)

- 22針雙列式封裝

- 是電子檢測(cè)的理想選擇

- 保護(hù)性蓋板3    

AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列在0.75mmx4.1mm的測(cè)試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時(shí)，電容,最大值是1nF。VR=0V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí)，每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。

Optodiode的光電探測(cè)器陣列