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光刻膠烘箱的核心技術要求

閱讀:236      發布時間:2025-5-24
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1. 溫度控制

  • 溫度范圍:室溫~250℃(根據光刻膠類型調整,如I線膠通常90~120℃,EUV膠需200℃以上)。

  • 均勻性:±0.5℃以內(晶圓級烘箱需±0.1℃),避免膠膜厚度不均或顯影缺陷。

  • 升溫速率:1~5℃/秒(快速熱退火RTP型烘箱可達10℃/秒)。

2. 潔凈度

  • Class 10~100級(ISO 4~5級),需配置HEPA/ULPA過濾器(過濾效率≥99.995%)。

  • 無塵設計:內腔為不銹鋼或陶瓷涂層,避免顆粒污染膠面。

3. 氣氛控制

  • 惰性氣體保護(N?、Ar)防止光刻膠氧化(氧含量≤10 ppm)。

  • 局部排風:排出揮發性有機物(VOCs),避免冷凝回流。

4. 工藝適配性

  • 真空烘箱:用于厚膠(SU-8)或避免氣泡的工藝,真空度可達10?3 mbar。

  • 紅外加熱:減少熱滯后,適合大尺寸基板(如面板顯示制程)。

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