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小王子分享關(guān)于半導(dǎo)體曝光設(shè)備的價格
半導(dǎo)體光刻設(shè)備目前對于半導(dǎo)體的高效量產(chǎn)來說是，但據(jù)稱它是精密的機(jī)器，而且價格昂貴。
半導(dǎo)體曝光設(shè)備中使用的光源的波長越短，可以形成的圖案越精細(xì)，并且曝光設(shè)備變得越昂貴。據(jù)稱每個波長的成本為i-line約4億日元、KrF約13億日元、ArF干式約20億日元、ArF浸沒式約60億日元、EUV約200億日元。
電路越小，可以實(shí)現(xiàn)越快的信號傳輸和節(jié)能，但近年來，由于小型化，無法忽視工藝成本的增加，包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的價格。
就半導(dǎo)體光刻設(shè)備所需的性能而言，從半導(dǎo)體制造的成本角度來看，半導(dǎo)體光刻設(shè)備的吞吐量也是一個重要指標(biāo)。吞吐量是表示電路圖案曝光速度的性能，隨著吞吐量的增加，每個硅芯片的制造成本（運(yùn)行成本）會降低。這在半導(dǎo)體芯片的大規(guī)模生產(chǎn)過程中非常重要。
