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?磁光克爾效應(yīng)（Magneto-Optic Kerr Effect, MOKE）? 是指當(dāng)線(xiàn)偏振光入射到磁性材料表面并反射后，其偏振狀態(tài)（偏振面旋轉(zhuǎn)角度和橢偏率）因材料的磁化強(qiáng)度或方向發(fā)生改變的現(xiàn)象。具體表現(xiàn)為：
1、?偏振面旋轉(zhuǎn)?：反射光的偏振方向相對(duì)于入射光發(fā)生偏轉(zhuǎn)（克爾旋轉(zhuǎn)角 θK）。
2、?橢偏率變化?：反射光由線(xiàn)偏振變?yōu)闄E圓偏振（克爾橢偏率 εK）。
這一效應(yīng)直接關(guān)聯(lián)材料的磁化狀態(tài)，是表征磁性材料（如鐵磁體、反鐵磁體）磁學(xué)性質(zhì)的重要非接觸式光學(xué)探測(cè)手段，廣泛用于磁滯回線(xiàn)測(cè)量、磁疇成像及磁存儲(chǔ)材料研究。
?關(guān)鍵要素?
?必要條件?：磁性材料 + 線(xiàn)偏振光入射。
?物理起源?：材料磁化導(dǎo)致介電常數(shù)張量非對(duì)稱(chēng)（磁光耦合），改變光波的傳播特性。
?分類(lèi)?：根據(jù)磁化方向與光入射面的關(guān)系，分為 ?極向?（磁化方向垂直材料表面）、?縱向?（磁化方向平行入射面）和 ?橫向?（磁化方向垂直入射面）克爾效應(yīng)。
?典型應(yīng)用?
磁性薄膜的磁化強(qiáng)度檢測(cè)；
磁疇動(dòng)態(tài)行為的原位觀(guān)測(cè)；
磁光存儲(chǔ)器件性能評(píng)估。
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