在半導體制造過程中，硅片的清潔度直接影響到芯片的性能和良品率。硅片表面哪怕是極其微量的污染物，都可能導致后續工藝中的缺陷，如晶體生長異常、光刻圖形失真等。硅片清洗用的1號液作為重要的清洗試劑，在去除硅片表面雜質方面發揮著關鍵作用，是半導體制造清洗工藝鏈中的一環。

一、1號液的成分

硅片清洗用的1號液主要成分為氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和水（H?O），通常的混合比例為1:1:5。氨水是一種弱堿性化合物，在水中會解離產生銨根離子（NH??）和氫氧根離子（OH?），能夠調節清洗液的pH值，使其呈堿性環境，有助于去除硅片表面的酸性污染物和部分金屬雜質。過氧化氫則是一種強氧化劑，在堿性條件下，它能夠分解產生具有強氧化性的羥基自由基（·OH）和活性氧（O），這些活性成分可以與硅片表面的有機物、重金屬離子等發生氧化反應，將其分解為可溶于水或易于去除的物質。水作為溶劑，不僅使氨水和過氧化氫能夠均勻混合，還為化學反應提供了介質，保證了清洗過程的順利進行。

二、作用原理

（一）去除有機物

硅片在加工和存儲過程中，表面可能會沾染各種有機污染物，如光刻膠殘留、油脂等。1號液中的過氧化氫在氨水的堿性環境下，分解產生的羥基自由基和活性氧能夠迅速攻擊有機物分子結構中的化學鍵，將大分子有機物分解為小分子片段，如將長鏈的碳氫化合物分解為短鏈的醇、酸等，使其能夠溶解在水中，從而被清洗掉。例如，對于一些頑固的光刻膠殘留，1號液能夠通過氧化作用使其主鏈斷裂，逐步降解為可溶性物質，實現有效去除。

（二）去除金屬雜質

半導體制造過程中，硅片表面可能會吸附一些金屬離子，如鐵、銅、鋁等。這些金屬離子如果不及時清除，在后續的高溫工藝步驟中可能會形成金屬硅化物或其他化合物，導致芯片性能下降甚至失效。1號液的堿性環境可以使部分金屬離子形成氫氧化物沉淀，同時過氧化氫的氧化性又能將一些金屬離子氧化為更高價態的氧化物或氫氧化物，使其更容易從硅片表面脫離并沉淀下來。例如，對于鐵離子，在堿性條件下會生成氫氧化鐵沉淀，而過氧化氫能進一步將其氧化為更穩定的氧化鐵形態，便于清洗去除。

（三）表面微蝕與活化

1號液對硅片表面還具有一定的微蝕作用。氨水和過氧化氫共同作用時，會在硅片表面發生微弱的化學反應，去除表面極薄的一層氧化層和少量硅原子，使硅片表面變得粗糙且具有活性。這種微蝕和活化作用有助于增加硅片表面與后續外延生長或薄膜沉積工藝之間的結合力，為高質量的半導體器件制造提供良好的基礎。例如，在外延生長過程中，經過1號液清洗活化后的硅片表面能夠更好地與外延生長的材料進行晶格匹配和化學鍵合，減少缺陷的產生。

三、使用方法

（一）清洗設備與環境要求

使用1號液進行硅片清洗時，需要在特定的清洗設備中進行，如單片清洗機或槽式清洗機等。這些設備應具備良好的密封性、溫度控制功能和液體循環系統，以確保清洗過程的穩定性和一致性。同時，清洗環境應保持潔凈，避免空氣中的灰塵、微粒等再次污染硅片。一般來說，清洗間應達到一定的潔凈度等級，如千級或百級潔凈室標準，并且要控制溫度和濕度在一定范圍內，以防止清洗液的揮發和性質變化。

（二）清洗工藝步驟

預清洗：在將硅片放入1號液之前，通常預清洗，以去除硅片表面較大的顆粒和松散的污染物。預清洗可以使用去離子水噴淋或超聲波清洗等方式，將硅片表面的大部分雜質沖走或震落。

1號液清洗：將預清洗后的硅片放入含有1號液的清洗槽中，設定合適的清洗溫度和時間。一般來說，清洗溫度控制在60 - 80℃之間，清洗時間在5 - 15分鐘左右，具體參數可根據硅片的污染程度和工藝要求進行調整。在清洗過程中，通過清洗設備的液體循環系統使1號液在硅片表面均勻流動，保證清洗效果的一致性。

漂洗：1號液清洗完成后，立即用大量去離子水對硅片進行漂洗，以去除硅片表面殘留的清洗液和反應產物。漂洗過程中要確保去離子水的壓力和流量適中，避免對硅片表面造成損傷。一般情況下，漂洗時間不少于5分鐘，直至硅片表面的電阻率達到規定值，表明清洗液已基本被漂洗干凈。

干燥：漂洗后的硅片需要進行干燥處理，以去除表面的水分。常用的干燥方法有離心干燥、熱風干燥或真空干燥等。干燥過程中要注意控制溫度和時間，防止硅片因過熱而產生應力損傷或氧化。例如，采用熱風干燥時，溫度一般控制在100 - 120℃，干燥時間約10 - 15分鐘。

四、注意事項

（一）安全性

1號液中的氨水和過氧化氫都具有腐蝕性和刺激性，在使用過程中必須采取相應的安全防護措施。操作人員應佩戴防護眼鏡、手套和防護服，避免清洗液與皮膚直接接觸。如果不慎接觸到皮膚，應立即用大量清水沖洗，并根據情況進行醫療處理。此外，過氧化氫在一定條件下可能分解產生氧氣，導致清洗液中壓力升高，因此在清洗設備的設計和使用過程中要考慮安全泄壓裝置，防止發生爆炸事故。

（二）清洗液的維護與更換

隨著清洗過程的進行，1號液會逐漸被污染，其清洗效果也會下降。因此，需要定期對清洗液進行維護和更換。一般來說，根據硅片的清洗數量和污染程度，每隔一定時間（如每清洗50 - 100片硅片）需要對清洗液進行檢測和補充新鮮溶液，當清洗液的污染程度嚴重影響清洗效果時，應及時更換全部清洗液。同時，要注意清洗液的儲存條件，避免其受到光照、高溫等因素的影響而變質。

（三）對硅片的影響

雖然1號液在硅片清洗中有諸多優點，但如果清洗工藝控制不當，也可能對硅片造成不良影響。例如，過高的清洗溫度或過長的清洗時間可能會導致硅片表面過度微蝕，影響硅片的平整度和尺寸精度；過低的清洗溫度或不足的清洗時間則可能導致清洗不好，仍有污染物殘留在硅片表面。因此，在實際操作中，需要嚴格控制清洗工藝參數，確保硅片在獲得良好清洗效果的同時，不受損傷或產生其他質量問題。

硅片清洗用的1號液以其的成分和作用原理，在半導體制造中成為清洗試劑。通過合理使用和維護1號液，嚴格控制清洗工藝參數，能夠有效去除硅片表面的有機物、金屬雜質等污染物，同時對硅片表面進行微蝕和活化處理，為后續的半導體制造工藝提供高質量的硅片表面。隨著半導體技術的不斷發展，對硅片清洗的要求也將越來越高，深入研究和優化1號液的清洗工藝，對于提高半導體器件的性能和可靠性具有重要意義。在未來的半導體制造中，1號液將繼續發揮其重要作用，并有望隨著技術的進步進一步改進和完善其性能和應用方式。