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臥式CNT/石墨烯合成裝置MPCVD-Graphene的特點
2022-12-1 閱讀(1112)
臥式CNT/石墨烯合成裝置MPCVD-Graphene的特點
使用高真空泵系統（可選）沉積
的單層石墨烯/Ni 的光學顯微圖像
基板的快速冷卻據說是通過使用碳氫化合物氣體（CH4 和 C2H2）的 CVD 方法在催化劑基板（Ni、Cu 等）上生長石墨烯薄膜的重要因素之一。
該裝置配備了僅允許加熱部分滑動而爐芯管保持原樣的機構。這種滑動機構允許爐子的熱區快速從樣品位置移開，從而使樣品快速冷卻。此外，通過安裝可選的高真空排氣系統，可以輕松沉積更大面積的單層石墨烯薄膜。
使用高真空泵系統（可選）沉積的單層石墨烯/Ni 的拉曼光譜
加熱期間（載玻片移動前）
冷卻時（滑動移動后）
*實際產品可能與照片略有不同。
| 目的 ： | 這是用于合成石墨烯薄膜的管式爐（50mmφ）型熱CVD設備。 |
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| 特征 ： |
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