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ERM-EG001 硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素數量比)

時間:2023/10/25閱讀:639
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ERM-EG001 硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素數量比)

        該樣品是一個10毫米×10毫米的硅片,具有熱生長的表面氧化物層和注入能量為400keV的Sb離子。

品牌:IRMM標準品/ERM標準物質

CRM code(貨號):ERM-EG001

Description:ANTIMONY IMPLANTED IN SILICON (areal density of Sb atoms, isotope amount ratio)

描述:硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素數量比)

Net mass(產品規格):1.5g

ERM-EG001.jpg

ERM-EG001 硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素數量比)

       使用說明:

       Sb原子的面密度的認證值適用于尺寸小于0.15 mm2的芯片表面部分。如果使用較小的尺寸進行分析,則必須分析足夠數量的不同位置,以確保具有代表性的采樣。CRM的植入側是拋光的、反射的一側。參考材料不得加熱至150°C以上。

       儲存方法:材料應在干燥清潔的環境中儲存在環境條件下。歐盟委員會不對材料在客戶場所儲存期間發生的變化負責,尤其是打開的樣品。



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